Le NTE172A est un transistor NPN Darlington au silicium dans un boîtier de type TO92 conçu pour les préamplificateurs étages d'entrée nécessitant des impédances d'entrée de plusieurs mégohms ou de niveau extrêmement bas, à faible applications d'amplification de bruit.

Caractéristiques:

• Valeurs nominales maximales absolues : (TA = +25 °C sauf indication contraire)
• Collecteur-tension de base, VCBO: 40V
• Tension collecteur-émetteur, VCEO: 40V
• Tension d'émetteur-base, VEBO: 12V
• Courant de collecteur, IC
• Continu :300mA
• Pulsé (Remarque 1) 500mA
• Courant de base, IB: 50mA
• Puissance dissipée totale (TA = +25°C), PD: 400mW
• Déclassement au-dessus de 25°C 4mW/°C
• Plage de température de jonction de fonctionnement, TJ -65° à +125°C
• Plage de température de stockage, Tstg -65° à +150°C
• Température du plomb (pendant le soudage, 1/16" ±1/32" du boîtier pendant 10 secondes max.), TL +260°C
• Remarque 1. Test d'impulsion : largeur d'impulsion 300 µs, cycle de service ? 2 %