Caractéristiques:

• RDS inférieur (ON)
• Robustesse inductive améliorée
• Temps de commutation rapide
• Structure de cellule de porte en polysilicium robuste
• Capacité d'entrée inférieure
• Zone de fonctionnement sécurisée étendue
• Amélioration de la fiabilité à haute température
• Tension de drain-source: 100V
• Tension de drain-porte (RGS = 1 M): 100 V
• Tension de porte-source: 20V
• Courant de vidange continu:
• TC = +25°C: 9,2 A
• TC = +100°C: 6,5 A
• Courant de drain, pulsé: 37A
• Courant de porte-source pulsé: 1,5 A
• Énergie Avalanvhe pulsée unique: 36mJ
• Courant d'avalanche: 9.2A
• Dissipation de puissance totale (TC = +25°C): 50W
• Déré au-dessus de 25°C 0.4W /: °C
• Plage de température de jonction de fonctionnement: -55 à +150°C
• Plage de température de stockage: -55 à +150°C
• Résistance thermique, jonction à la température ambiante: 62,5°C / W
• Résistance thermique, jonction à boîtier: 2,5°C / W
• Résistance thermique, boîtier à évier (Note 5): 0,5°C / W
• Température maximale du câble (pendant le soudage, 1/8 "du boîtier, 5 s): +300°C